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Accueil > Groupes de recherche > Physique des solides > Equipe "Matière Condensée et Irradiation : du Fondamental au Fonctionnel" > Microstructural evolution and structural functionalization by ion beams > Passivation du Silicium monocristallin pour le photovoltaïque

Passivation du Silicium monocristallin pour le photovoltaïque

Silicium monocristallin photovoltaïque : l’implantation ionique comme un outil pour l’ingénierie des défauts d’interface
En collaboration avec le LPICM, Palaiseau

Comprendre la passivation de l’interface est un défi crucial pour l’amélioration des cellules solaires HIT. Nous abordons cette question en utilisant l’irradiation ionique qui permet d’affiner le profil de défauts à l’interface silicium amorphe / cristallin. Une optimisation des paramètres d’irradiation ionique (énergie d’implantation et fluence) permet une introduction contrôlée des défauts seulement dans la couche mince a-Si : H, dans la plaquette de c-Si, ou à l’interface a-Si : H / c-Si.

Publications :

A. Defresne, O. Plantevin, P. Roca i Cabarrocas, Robustness up to 400 °C of the passivation of c-Si wafer by p-type a-Si:H thanks to ion bombardment, AIP Advances 6 (12) 125107 (2016).
Interface defects in a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells, A. Defresne, O. Plantevin, I.P. Sobkowicz, J. Bourçois, P. Roca i Cabarrocas, In Press Nucl. Instr. Meth. B (2015), Ion Beam Modification of Materials IBMM2014, Leuven, Belgique 09/2014, http://dx.doi.org/10.1016/j.nimb.2015.04.009
PDF
Suppression of the thermal quenching of photoluminescence in irradiated silicon heterojunction solar cells, O. Plantevin, A. Defresne, P. Roca i Cabarrocas, phys. stat. sol. (a) : applications and materials science, Special Issue Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors (2016) ICANS26, Aachen, Allemagne, 09/2015

Brevet :
O. Plantevin, A. Defresne, P. Roca i Cabarrocas, Procédé de fabrication d’un dispositif à jonction électronique et dispositif associé, Dossier d’invention « Amélioration de la passivation des cellules solaires à hétérojonction a-Si:H/c-Si par irradiation ionique », 07/09/2015, CNRS, Université Paris-Sud, Ecole Polytechnique

Thèse : Alice Defresne, Univ Paris-Sud, 2013-2016 - Soutenue le 07/12/2016.
https://tel.archives-ouvertes.fr/te...
Mémoire de thèse

PDF - 4.8 Mo

Contact : Olivier Plantevin