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Dans la même rubrique

Nicolas Holtzer (CSNSM)

Ion Dose Control under Sheath-Lens Effect in Plasma Ion Implantation

Jeudi 27 Janvier 2011, 14h15

Travaux de Ph.D. réalisés sous la direction d’E. Stamate et H. Sugai à l’Université de Nagoya.

Cette présentation permettra de montrer les problèmes d’uniformité du flux ionique dans les procédés plasma à gaine haut-voltage, présentant l’influence de la géométrie de la gaine
par rapport à celle du substrat. Je développerai plus particulièrement le sujet sur les non-uniformités
dans les procédés où l influence du flux ionique est prépondérante par rapport à la chimie.
Le sujet traitera ainsi principalement de l’implantation ionique par immersion plasma PIII, mais
ouvrira sur d’autres procédés plasma.
Une nouvelle caractérisation de la gaine par l’intermédiaire d un nouveau type de diagnostic
à base de sonde électrostatique sera présentée, et l’application sur des gaines transitoires
induites par des impulsions sub-microseconde étudiée en vue d’applications à l’industrie microélectronique.